Les mémoires numériques de demain ?

Aujourd’hui, la plupart des appareils électroniques nomades utilisent des mémoires flash. Les mémoires ferroélectriques(1) sont plus rapides, mais présentent d’autres inconvénients (faible densité de stockage et destruction des données lors de la lecture notamment). Une équipe de l’Unité Mixte de Physique CNRS/Thales/Université Paris-Sud 11 a résolu ces problèmes(2) en montrant la faisabilité d’un nouveau type de mémoire basé sur l’association de deux phénomènes physiques : la ferroélectricité et l’effet tunnel. Ces mémoires auraient alors de nombreux avantages pour supplanter les mémoires flash. Ce résultat est publié dans Nature (advanced online publication du 31 mai 2009).

Author: Rédaction